5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.11 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 52 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDD7N20TM | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM， 200 V，5 A，690 mΩ，DPA |
|
| BSP297 | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD4N20TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQD4N20TM | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET，200V，3A，1.4Ω |
|
| FQD4N20TM-SB82153 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| FQD4N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQD4N25TM_WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| FQD4N25TM-WS | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，3 A，1.75 Ω，DPAK |
|
| FQD4N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQD4N50_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQD4N50TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQD4N50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel QFET®, 3LD, TO-252, NOT COMPLIANT TO JEDEC TO-252 VAR. AB, SURFACE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
