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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD5N20TF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQD5N20TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQD5N30 | FAIRCHILD |
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300V N-Channel MOSFET |
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| FQD5N30TF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQD5N30TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQD5N40 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET |
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| FQD5N40TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQD5N40TM | ROCHESTER |
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3.4A, 400V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| FQD5N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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| FQD5N50 | TGS |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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