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FQD4N50_09

更新时间： 2024-11-25 12:34:03
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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9页 850K
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500V N-Channel MOSFET

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FQD4N50_09 数据手册

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Rev. A2, January 2009  
©2009 Fairchild Semiconductor Internati  
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FQD4N50TF FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD4N50TM FAIRCHILD

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 		500V N-Channel QFET&reg;, 3LD, TO-252, NOT COMPLIANT TO JEDEC TO-252 VAR. AB, SURFACE
FQD4N50TM_WS FAIRCHILD

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 		500V N-Channel QFET&reg;, TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB, 2500/TAPE RE
FQD4N50TM-AM002 FAIRCHILD

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 		Transistor
FQD4P25 FAIRCHILD

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 		250V P-Channel MOSFET
FQD4P25TF FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQD4P25TM FAIRCHILD

获取价格

 		250V P-Channel MOSFET
FQD4P25TM-WS ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，QFET® MOSFET，-250V，-3.1A，2.1Ω
FQD4P40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V P-Channel MOSFET
FQD4P40TM ONSEMI

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 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-400 V，-2.7 A，3.1 Ω，DPAK

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