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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD5N30TM
FQD5N30TM PDF预览

FQD5N30TM

更新时间： 2024-02-16 23:19:57
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 750K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FQD5N30TM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.14
雪崩能效等级（Eas）：340 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：300 V
最大漏极电流 (ID)：4.4 A最大漏源导通电阻：0.9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：17.6 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD5N30TM 数据手册

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FQD5N30TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD7N30TM FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 300V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD5N30TF FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与FQD5N30TM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD5N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQD5N40TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD5N40TM ROCHESTER

获取价格

 		3.4A, 400V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD5N50 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQD5N50 TGS

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQD5N50C FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQD5N50C_08 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQD5N50CTF ROCHESTER

获取价格

 		4A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
FQD5N50CTF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD5N50CTM_F105 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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