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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD5N60CTM
FQD5N60CTM PDF预览

FQD5N60CTM

更新时间： 2024-01-09 22:52:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
9页 1830K
描述
N-Channel QFET MOSFET

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FQD5N60CTM 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：210 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：2.8 A
最大漏源导通电阻：2.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：11.2 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD5N60CTM 数据手册

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March 2013  
FQD5N60C / FQU5N60C  
N-Channel QFET MOSFET  
600 V, 2.8 A, 2.5 Ω  
Features  
Description  
•
2.8 A, 600 V, RDS(on) = 2.5 Ω (Max) @VGS = 10 V,  
ID = 1.4 A  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to reduce  
on-state resistance, and to provide superior switching  
performance and high avalanche energy strength. These  
devices are suitable for switched mode power supplies,  
active power factor correction (PFC), and electronic lamp  
ballasts.  
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 15 nC)  
Low Crss (Typ. 6.5 pF)  
100% Avalanche Tested  
RoHS compliant  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
G!  
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD5N60C / FQU5N60C  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
2.8  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
1.8  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
11.2  
± 30  
210  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
2.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.9  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
Power Dissipation (T = 25°C)*  
2.5  
A
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
49  
W
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.39  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
2.56  
50  
Unit  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
-
-
-
°C/W  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD5N60C / FQU5N60C Rev. C0  
www.fairchildsemi.com  
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FQD5N60CTM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD4NK60ZT4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 600 V, 1.76 Ω, 4 A SuperMESH™ Po
STD3N62K3 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po

与FQD5N60CTM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD5N60CTM_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD5P10 FAIRCHILD

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 		100V P-Channel MOSFET
FQD5P10_08 FAIRCHILD

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 		100V P-Channel MOSFET
FQD5P10TF ROCHESTER

获取价格

 		3.6A, 100V, 1.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD5P10TM ROCHESTER

获取价格

 		3.6A, 100V, 1.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD5P10TM ONSEMI

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 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-3.6 A，1.05 Ω，DPA
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 		Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FQD5P20 FAIRCHILD

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 		200V P-Channel MOSFET
FQD5P20_08 FAIRCHILD

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 		200V P-Channel MOSFET
FQD5P20TF FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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