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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD6N15TF
FQD6N15TF PDF预览

FQD6N15TF

更新时间： 2024-02-07 10:48:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 749K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FQD6N15TF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
雪崩能效等级（Eas）：65 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.2 A最大漏极电流 (ID)：5.2 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：37 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD6N15TF 数据手册

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FQD6N15TM FAIRCHILD

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 		N 沟道 QFET® MOSFET 250V，4.4A，1Ω
FQD6N25TM FAIRCHILD

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FQD6N25TM ROCHESTER

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 		400V N-Channel MOSFET
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 		400V N-Channel MOSFET
FQD6N40CTF ROCHESTER

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