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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD7N10L
FQD7N10L PDF预览

FQD7N10L

更新时间： 2024-10-01 22:25:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 552K
描述
100V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQD7N10L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 A
最大漏极电流 (ID)：5.8 A最大漏源导通电阻：0.38 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：23.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD7N10L 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQD7N10L / FQU7N10L  
100V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
•
5.8A, 100V, R  
= 0.35Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.6 nC)  
Low Crss ( typical 12 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for low voltage applications such as high  
efficiency switching DC/DC converters, and DC motor  
control.  
Low level gate drive requirments allowing  
direct operation from logic drives  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD7N10L / FQU7N10L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
100  
5.8  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
3.67  
23.2  
± 20  
50  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
5.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
2.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
25  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.2  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
5.0  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
1234567...9

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与FQD7N10L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD7N10L_08 FAIRCHILD

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 		100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD7N10LTF ROCHESTER

获取价格

 		5.8A, 100V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD7N10LTF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD7N10LTM FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel QFET® MOSFET
FQD7N10LTM ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 QFET® MOSFET 100V，5.8A，350mΩ
FQD7N10LTM UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FQD7N10TF FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FQD7N10TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD7N10TM-WS FAIRCHILD

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 		Transistor
FQD7N20 FAIRCHILD

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 		200V N-Channel MOSFET

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