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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.92 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 23.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD7N10TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQD7N10TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQD7N10TM-WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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| FQD7N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQD7N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQD7N20L_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQD7N20LTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQD7N20LTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，5.5 A，750 mΩ， |
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| FQD7N20LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQD7N20TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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