是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.66 |
雪崩能效等级(Eas): | 73 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.3 A | 最大漏极电流 (ID): | 5.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.69 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 45 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 21 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDD7N20TM | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM, 200 V,5 A,690 mΩ,DPA | |
BSP297 | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD7N20TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel QFET®, TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB, 2500/TAPE RE | |
FQD7N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET | |
FQD7N30TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 300V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQD7N30TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 300 V,5.5 A,700 mΩ,DPAK | |
FQD7P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET | |
FQD7P06TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.451ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
FQD7P06TF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.451ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
FQD7P06TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-5.4 A,450 mΩ,DPAK | |
FQD7P06TM-NB82050 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor | |
FQD7P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |