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FQD7N20TF

更新时间: 2024-02-22 03:34:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 653K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

FQD7N20TF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252包装说明:DPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.66
雪崩能效等级(Eas):73 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.3 A最大漏极电流 (ID):5.3 A
最大漏源导通电阻:0.69 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):21 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQD7N20TF 数据手册

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FQD7N20TF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD7N20TM ONSEMI

功能相似

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM, 200 V,5 A,690 mΩ,DPA
BSP297 INFINEON

功能相似

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

与FQD7N20TF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD7N20TM FAIRCHILD

获取价格

200V N-Channel QFET&reg;, TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB, 2500/TAPE RE
FQD7N30 FAIRCHILD

获取价格

300V N-Channel MOSFET
FQD7N30TM FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 300V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD7N30TM ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 300 V,5.5 A,700 mΩ,DPAK
FQD7P06 FAIRCHILD

获取价格

60V P-Channel MOSFET
FQD7P06TF FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.451ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FQD7P06TF_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.451ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FQD7P06TM ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-5.4 A,450 mΩ,DPAK
FQD7P06TM-NB82050 FAIRCHILD

获取价格

Transistor
FQD7P20 FAIRCHILD

获取价格

200V P-Channel MOSFET