GSS4511是一款N沟道和P沟道增强型功率MOSFET，由GTM公司生产。它以其快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益而受到设计师的青睐。这款MOSFET的SOP-8封装非常适合用于所有商业和工业表面安装应用，尤其是低电压应用，如DC/DC转换器。

产品特性

快速开关：提供快速的开关性能。

坚固设计：增强型设备设计，更耐用。

低导通电阻：降低导通电阻，提高效率。

成本效益：在保持性能的同时，具有成本效益。

简单驱动要求：易于驱动，降低设计复杂性。

绝对最大额定值

漏源电压(VDS)：35V(N通道)，-35V(P通道)

栅源电压(VGS)：±20V

连续漏极电流(ID)：7A(TA=25°C)，5.7A(TA=70°C)

脉冲漏极电流(IDM)：30A

总功耗(PD)：2.0W(TA=25°C)

热数据

最大结温(Tj, Tstg)：-55°C至+150°C

热阻(Rthj-a)：62.5°C/W

N沟道电气特性

漏源击穿电压(BVDSS)：35V

栅阈值电压(VGS(th))：1.0V至3.0V

正向跨导(gfs)：9 S

栅源漏电流(IGSS)：小于等于100nA

漏源漏电流(IDSS)：25μA(Tj=25°C)，18μA(Tj=70°C)

导通电阻(RDS(ON))：25mΩ至37mΩ

总栅极电荷(Qg)：11nC至18nC

输入电容(Ciss)：830pF至1330pF

输出电容(Coss)：150pF

反向传输电容(Crss)：110pF

P沟道电气特性

漏源击穿电压(BVDSS)：-35V

栅阈值电压(VGS(th))：-1.0V至-3.0V

正向跨导(gfs)：9 S

栅源漏电流(IGSS)：小于等于100nA

漏源漏电流(IDSS)：-1μA(Tj=25°C)，-25μA(Tj=70°C)

导通电阻(RDS(ON))：32mΩ至40mΩ

总栅极电荷(Qg)：10nC至16nC

输入电容(Ciss)：690pF至1100pF

输出电容(Coss)：165pF

反向传输电容(Crss)：130pF

典型特性曲线

手册中提供了N沟道和P沟道的典型特性曲线，包括：

输出特性

导通电阻与栅极电压关系

导通电阻与结温关系

栅阈值电压与结温关系

反向二极管的正向特性

栅极电荷特性

输入/输出电容特性

最大安全工作区

有效瞬态热阻抗

转移特性

栅极电荷波形

结论

GSS4511是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种开关和放大应用。通过详细解读其技术手册，设计工程师可以充分利用其特性，实现高效、可靠的电路设计。GTM公司提供的详细技术数据和特性曲线，为工程师提供了宝贵的设计参考。