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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | LEAD FREE, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.81 | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD6N40CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FQD6N40CTM | ROCHESTER |
获取价格 |
4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 |
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| FQD6N40CTM | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400 V，4.5 A，1.0 Ω，DPAK |
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| FQD6N40CTM-F101 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| FQD6N40TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQD6N40TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 400V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQD6N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchi |
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| FQD6N50C_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQD6N50CTF | ROCHESTER |
获取价格 |
4.5A, 500V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 |
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| FQD6N50CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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