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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD6N25
FQD6N25 PDF预览

FQD6N25

更新时间： 2024-02-01 19:56:26
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 716K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FQD6N25 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.34
雪崩能效等级（Eas）：75 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.4 A最大漏极电流 (ID)：4.4 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：17.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD6N25 数据手册

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FQD6N25 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD6N25TM ONSEMI

类似代替

 N 沟道 QFET® MOSFET 250V，4.4A，1Ω
FQD6N25TM FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与FQD6N25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD6N25_08 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQD6N25TM ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 QFET® MOSFET 250V，4.4A，1Ω
FQD6N25TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD6N25TM ROCHESTER

获取价格

 		4.4A, 250V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD6N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQD6N40C FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQD6N40C_08 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQD6N40CTF ROCHESTER

获取价格

 		4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
FQD6N40CTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD6N40CTM ROCHESTER

获取价格

 		4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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