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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.37 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 220 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 161 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD630 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQD630TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FQD630TF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQD6N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQD6N15TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQD6N15TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQD6N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQD6N25_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQD6N25TM | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 250V，4.4A，1Ω |
|
| FQD6N25TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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