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FQD630TF PDF预览

FQD630TF

更新时间： 2024-01-29 10:57:41
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 767K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FQD630TF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：163 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD630TF 数据手册

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FQD630TF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD7N20TM ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM， 200 V，5 A，690 mΩ，DPA
BSP297 INFINEON

功能相似

 SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

与FQD630TF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD630TF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD6N15 FAIRCHILD

获取价格

 		150V N-Channel MOSFET
FQD6N15TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD6N15TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD6N25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQD6N25_08 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQD6N25TM ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 QFET® MOSFET 250V，4.4A，1Ω
FQD6N25TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD6N25TM ROCHESTER

获取价格

 		4.4A, 250V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD6N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET

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