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FQD60N03LTF

更新时间： 2024-10-01 21:16:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 676K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40.3A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FQD60N03LTF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40.3 A最大漏极电流 (ID)：40.3 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：56 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：161 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD60N03LTF 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQD60N03L / FQU60N03L  
30V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as DC/DC  
converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
•
40.3A, 30V, R  
= 0.019Ω @ V = 10V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 18.5 nC)  
Low Crss ( typical 155 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
o
150 C maximum junction temperature rating  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD60N03L / FQU60N03L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
30  
40.3  
25.5  
161  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
220  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
40.3  
5.6  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
56  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.45  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.25  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
1234567...11

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与FQD60N03LTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD60N03LTM ROCHESTER

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 		40.3A, 30V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD60N03LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 40.3A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQD630 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FQD630TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD630TF_NL FAIRCHILD

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FQD6N15TM FAIRCHILD

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