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FQD60N03LTM

更新时间： 2024-01-31 23:28:05
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 120K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40.3A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FQD60N03LTM 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.37
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：40.3 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：161 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD60N03LTM 数据手册

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April 2004  
FQD60N03L  
N-Channel Logic Level MOSFETs  
30V, 30A, 0.023Ω  
Features  
•
•
•
•
•
•
Fast switching  
General Description  
This device employs advanced MOSFET technology and  
features low gate charge while maintaining low on-  
resistance.  
r
r
= 0.014Ω (Typ), V  
= 10V  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
= 0.024Ω (Typ), V  
= 4.5V  
Q
Q
C
(Typ) = 9.6nC, V  
(Typ) = 3.4nC  
= 5V  
GS  
Optimized for switching applications, this device improves  
the overall efficiency of DC/DC converters and allows  
operation to higher switching frequencies.  
g
gd  
(Typ) = 900pF  
ISS  
Applications  
•
DC/DC converters  
DRAIN  
(FLANGE)  
D
GATE  
G
SOURCE  
S
TO-252AA  
FDD SERIES  
MOSFET Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings  
30  
Units  
V
V
V
V
DSS  
GS  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
±20  
o
30  
19  
A
A
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V)  
= 4.5V)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 100 C, V  
D
C
GS  
o
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V, R = 52 C/W)  
7.9  
A
C
GS  
θJA  
Pulsed  
Figure 4  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
45  
0.37  
W
W/ C  
P
D
o
o
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 150  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
θJC  
R
θJA  
R
θJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-252  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252  
2.73  
100  
52  
C/W  
o
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FQD60N03L  
FQD60N03L  
TO-252AA  
330mm  
16mm  
2500 units  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD60N03L Rev. B1  
1234567...11

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