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FQD5N40TM PDF预览

FQD5N40TM

更新时间： 2024-09-29 19:24:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 686K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FQD5N40TM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
雪崩能效等级（Eas）：290 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.4 A最大漏极电流 (ID)：3.4 A
最大漏源导通电阻：1.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：13.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD5N40TM 数据手册

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FQD5N40TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR320BTF FAIRCHILD

类似代替

 暂无描述
IRFR320BTM FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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 		4A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
FQD5N50CTF FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD5N50CTM_F105 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FQD5N50CTM_WS FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD5N50CTM-WS ONSEMI

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 		Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 500 V, 4 A, 1
FQD5N50TF ROCHESTER

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 		3.5A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3

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