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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.14 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD5N50CTM_F105 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FQD5N50CTM_WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FQD5N50CTM-WS | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 500 V, 4 A, 1 |
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| FQD5N50TF | ROCHESTER |
获取价格 |
3.5A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| FQD5N50TM | ROCHESTER |
获取价格 |
3.5A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| FQD5N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQD5N60C_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQD5N60CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQD5N60CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET |
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| FQD5N60CTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2.8 A，2.5 Ω，DPAK |
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