是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DPAK |
包装说明: | DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.2 |
雪崩能效等级(Eas): | 52 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A | 最大漏极电流 (ID): | 3 A |
最大漏源导通电阻: | 1.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDD7N20TM | ONSEMI |
类似代替 ![]() |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM, 200 V,5 A,690 mΩ,DPA |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD4N20TM-SB82153 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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FQD4N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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FQD4N25TM_WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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FQD4N25TM-WS | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,250 V,3 A,1.75 Ω,DPAK |
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FQD4N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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FQD4N50_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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FQD4N50TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQD4N50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel QFET®, 3LD, TO-252, NOT COMPLIANT TO JEDEC TO-252 VAR. AB, SURFACE |
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FQD4N50TM_WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel QFET®, TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB, 2500/TAPE RE |
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FQD4N50TM-AM002 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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