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FQD3P50TM

更新时间： 2024-09-27 11:12:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 392K
描述
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-500 V，-2.1 A，4.9 Ω，DPAK

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FQD3P50TM 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：9 weeks风险等级：0.57
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：997283Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：DPAK3 (TO?252 3 LD) CASE 369AS ISSUE O_8Samacsys Released Date：2019-10-02 15:41:25
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.1 A
最大漏极电流 (ID)：2.1 A最大漏源导通电阻：4.9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8.4 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD3P50TM 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – P-Channel,  
QFET)  
-500 V, 4.9 W, -2.1 A  
D
G
S
DPAK3  
CASE 369AS  
FQD3P50  
Description  
S
This P−Channel enhancement mode power MOSFET is produced  
using ON Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS  
technology. This advanced MOSFET technology has been especially  
tailored to reduce on−state resistance, and to provide superior  
switching performance and high avalanche energy strength. These  
devices are suitable for switched mode power supplies, active power  
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.  
G
D
Features  
• −2.1 A, −500 V, R  
= 4.9 W (Max.) @ V = −10 V,  
GS  
MARKING DIAGRAM  
DS(on)  
I = −1.05 A  
D
• Low Gate Charge (Typ. 18 nC)  
• Low Crss (Typ. 9.5 pF)  
$Y&Z&3&K  
FQD  
3P50  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 20°C unless otherwise noted)  
C
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Value  
Unit  
V
V
DSS  
−500  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Code  
= Date Code (Year and Week)  
= Lot Code  
I
D
Drain Current  
A
− Continuous (T = 25°C)  
−2.1  
−1.33  
C
− Continuous (T = 100°C)  
C
FQD3P50 = Specific Device Code  
I
Drain Current − Pulsed (Note 1)  
Gate−Source Voltage  
−8.4  
A
V
DM  
V
GSS  
30  
ORDERING INFORMATION  
E
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2)  
Avalanche Current (Note 1)  
250  
−2.1  
5.0  
mJ  
A
AS  
†
Device  
FQD3P50  
Package  
Shipping  
I
AR  
DPAK3  
2,500 /  
E
Repetitive Avalanche Energy (Note 1)  
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)  
mJ  
V/ns  
W
AR  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
dv/dt  
−4.5  
2.5  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Power Dissipation (T = 25°C) (Note 4)  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
50  
0.4  
W
W/°C  
C
− Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
T
L
300  
°C  
Maximum lead temperature for soldering  
purposes, 1/8″ from case for 5 seconds  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
2. L = 102 mH, I = −2.1 A, V = −50 V, R = 25 W, Starting T = 25°C.  
AS  
DD  
G
DSS  
J
3. I ≤ −2.7 A, di/dt ≤ 200 A/ms, V ≤ BV  
, Starting T = 25°C.  
J
SD  
DD  
4. When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
April, 2022 − Rev. 5  
FQD3P50/D  
 
12345678

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FQD3P50TM 替代型号

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