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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD45N03L
FQD45N03L PDF预览

FQD45N03L

更新时间： 2024-11-29 22:15:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 264K
描述
N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET

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FQD45N03L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.88
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD45N03L 数据手册

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March 2004  
FQD45N03L  
N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET  
General Description  
Features  
This device employs a new advanced MOSFET technology  
and features low gate charge while maintaining low on-  
resistance.  
•
•
•
•
•
•
Fast switching  
r
r
= 0.018Ω (Typ), V = 10V  
GS  
DS(ON)  
DS(ON)  
= 0.028Ω (Typ), V = 5V  
Optimized for switching applications, this device improves  
the overall efficiency of DC/DC converters and allows  
operation to higher switching frequencies.  
GS  
Q (Typ) = 9nC, V = 5V  
g
GS  
Q
(Typ) =3nC  
gd  
ISS  
Applications  
•
DC/DC converters  
C
(Typ) =970pF  
D
DRAIN (FLANGE)  
GATE  
G
SOURCE  
TO-252  
S
MOSFET Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings  
30  
Units  
V
V
V
V
DSS  
GS  
Gate to Source Voltage  
±20  
Drain Current  
o
20  
20  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 100 C, V = 4.5V)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T = 25 C, V = 10V, R =52 C)  
8
A
C
GS  
θJA  
Pulsed  
Figure 4  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
41  
0.33  
W
W/ C  
P
o
o
D
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 150  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-252  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252  
3
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
100  
52  
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FQD45N03L  
FQD45N03L  
TO-252AA  
330mm  
16mm  
2500 units  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD45N03L Rev. B1  
1234567...11

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