是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DPAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.7 |
雪崩能效等级(Eas): | 250 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.1 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.1 A |
最大漏源导通电阻: | 4.9 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 8.4 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQD3P50TF | FAIRCHILD |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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FQD3P50TM-F085 | ONSEMI |
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FQD45N03L | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
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FQD4N20LTF | FAIRCHILD |
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FQD4N20LTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQD4N20TF | FAIRCHILD |
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FQD4N20TF | ROCHESTER |
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3A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |