是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.5 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 35 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD3N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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FQD3N60C | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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FQD3N60CTF | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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FQD3N60CTM | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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FQD3N60CTM-WS | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,2.4 A,3.4 Ω,DPAK |
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FQD3N60TF | ROCHESTER |
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2.4A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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FQD3N60TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQD3P20 | FAIRCHILD |
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200V P-Channel MOSFET |
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FQD3P20TF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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FQD3P50 | FAIRCHILD |
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500V P-Channel MOSFET |
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