5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FQD2N60CTM
FQD2N60CTM PDF预览

FQD2N60CTM

更新时间： 2024-09-25 11:13:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 451K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1.9 A，4.7 Ω，DPAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQD2N60CTM 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.88
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.9 A
最大漏极电流 (ID)：1.9 A最大漏源导通电阻：4.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：44 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：7.6 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD2N60CTM 数据手册

 浏览型号FQD2N60CTM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQD2N60CTM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQD2N60CTM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQD2N60CTM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQD2N60CTM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQD2N60CTM的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
QFET)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
600 V  
4.7 ꢀ @ 10 V  
1.9 A  
600 V, 1.9 A, 4,7 W  
D
FQD2N60C / FQU2N60C  
This N−Channel enhancement mode power MOSFET is produced  
using onsemi’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This  
advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce  
on−state resistance, and to provide superior switching performance  
and high avalanche energy strength. These devices are suitable for  
switched mode power supplies, active power factor correction (PFC),  
and electronic lamp ballasts.  
G
S
Features  
• 1.9 A, 600 V, R  
= 4.7 ꢀ (Max.) @ V = 10 V, I = 0.95 A  
GS D  
• Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC)  
• Low Crss (Typ. 4.3 pF)  
DS(on)  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Halid Free and are RoHS Compliant  
DPAK3 (IPAK)  
CASE 369AR  
DPAK3 (TO−252 3 LD)  
CASE 369AS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
MARKING DIAGRAMS  
Symbol  
Rating  
Drain−Source Voltage  
Drain Current − Continuous (T = 25°C)  
Value  
Unit  
V
V
DSS  
600  
$Y&Z&3&K  
FQU  
$Y&Z&3&K  
FQD  
I
D
1.9  
1.14  
A
C
− Continuous (T = 100°C)  
C
2N60C  
2N60C  
I
Drain Current − Pulsed  
Gate−Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2)  
(Note 1)  
7.6  
30  
A
V
DM  
V
GSS  
E
120  
1.9  
4.4  
4.5  
2.5  
mJ  
A
AS  
I
Avalanche Current  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
FQD2N60C,  
FQU2N60C = Device Code  
P
Power Dissipation (T = 25°C) *  
D
A
Power Dissipation (T = 25°C)  
44  
W
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= onsemi Logo  
= Assembly Location  
= Date Code  
C
− Derate above 25°C  
0.35  
W/°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature  
Range  
−55 to  
+150  
°C  
J
STG  
= Lot Run Traceability Code  
T
Maximum Lead Temperature for  
Soldering Purposes, 1/8”  
300  
°C  
L
ORDERING INFORMATION  
(from case for 5 seconds)  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
FQD2N60CTM  
FQU2N60CTU  
DPAK3  
(TO−252 3 LD)  
(Pb−Free)  
2500 /  
Tape & Reel  
70 Units / Tube  
DPAK3 (IPAK)  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
April, 2022 − Rev. 3  
FQU2N60C/D  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与FQD2N60CTM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD2N60CTM_WS FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD2N60CTM-WS ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1.9 A，4.7 Ω，DPAK
FQD2N60TF ROCHESTER

获取价格

 		2A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD2N60TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQD2N80 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQD2N80TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD2N80TF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQD2N80TM FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel QFET MOSFET
FQD2N80TM ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，QFET® MOSFET，800V，1.8A，6.3Ω
FQD2N90 FAIRCHILD

获取价格

 		900V N-Channel MOSFET

与FQD2N60CTM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证