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FQD2N60CTM_WS

更新时间： 2024-09-24 21:15:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 545K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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FQD2N60CTM_WS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.94
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：1.9 A最大漏源导通电阻：4.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：7.6 A
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD2N60CTM_WS 数据手册

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November 2013  
FQD2N60C / FQU2N60C  
®
N-Channel QFET MOSFET  
600 V, 1.9 A, 4.7 Ω  
Features  
Description  
•
1.9 A, 600 V, RDS(on) = 4.7 Ω (Max.) @ VGS = 10 V,  
D = 0.95 A  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to reduce  
on-state resistance, and to provide superior switching  
performance and high avalanche energy strength. These  
devices are suitable for switched mode power supplies,  
active power factor correction (PFC), and electronic lamp  
ballasts.  
I
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC)  
Low Crss (Typ. 4.3 pF)  
100% Avalanche Tested  
RoHS Compliant  
D
D
G
S
I-PAK  
G
D-PAK  
G
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted.  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQD2N60CTM / FQU2N60CTU  
Unit  
V
600  
Drain-Source Voltage  
1.9  
1.14  
7.6  
A
A
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
ID  
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
30  
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
120  
mJ  
A
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
1.9  
4.4  
mJ  
V/ns  
W
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TA = 25°C)*  
4.5  
2.5  
PD  
44  
W
Power Dissipation (TC = 25°C)  
0.35  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
- Derate above 25°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
FQD2N60CTM /  
FQU2N60CTU  
Symbol  
Parameter  
Unit  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.  
2.56  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (minimum pad of 2 oz copper), Max.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (* 1 in2 pad of 2 oz copper), Max.  
110  
50  
°C/W  
www.fairchildsemi.com  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD2N60C / FQU2N60C Rev. C1  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD2N60CTM-WS ONSEMI

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