是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.81 |
雪崩能效等级(Eas): | 230 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 80 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 19.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 19.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 78.4 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFR024NTRPBF | INFINEON |
功能相似 ![]() |
HEXFET® Power MOSFET |
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NTD3055L104T4G | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
Power MOSFET |
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NTD18N06LT4G | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
Power MOSFET |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD24N08TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19.6A I(D), 80V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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FQD26N03L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-252AA |
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FQD26N03LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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FQD2N100 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000V N-Channel MOSFET |
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FQD2N100TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000V N-Channel MOSFET |
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FQD2N100TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,1000 V,1.6 A,9 Ω,DPAK |
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FQD2N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
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FQD2N30TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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FQD2N30TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQD2N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
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