是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.92 |
配置: | Single | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD2N100 | FAIRCHILD |
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1000V N-Channel MOSFET | |
FQD2N100TM | FAIRCHILD |
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1000V N-Channel MOSFET | |
FQD2N100TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,1000 V,1.6 A,9 Ω,DPAK | |
FQD2N30 | FAIRCHILD |
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300V N-Channel MOSFET | |
FQD2N30TF | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FQD2N30TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQD2N40 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
FQD2N40TF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 400V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQD2N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQD2N50B | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |