是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.17 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 155 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 16.8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.063 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 67.2 A | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD20N06LTF | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FQD20N06LTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FQD20N06TF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 16.8A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FQD20N06TM | FAIRCHILD |
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N-Channel QFET MOSFET | |
FQD20N06TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,60 V,16.8 A,63 mΩ,DPAK | |
FQD24N08 | FAIRCHILD |
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80V N-Channel MOSFET | |
FQD24N08TF | FAIRCHILD |
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80V N-Channel MOSFET | |
FQD24N08TM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 19.6A I(D), 80V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQD26N03L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-252AA | |
FQD26N03LTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |