5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FQD1N60CTF
FQD1N60CTF PDF预览

FQD1N60CTF

更新时间： 2024-11-24 20:10:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 637K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQD1N60CTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.36其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：33 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：11.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：28 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD1N60CTF 数据手册

 浏览型号FQD1N60CTF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQD1N60CTF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQD1N60CTF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQD1N60CTF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQD1N60CTF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQD1N60CTF的Datasheet PDF文件第7页 
®
QFET  
FQD1N60C / FQU1N60C  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
1A, 600V, R  
= 11.5Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.8nC)  
Low Crss ( typical 3.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
G!  
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD1N60C / FQU1N60C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
1
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
0.6  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
4
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
33  
mJ  
A
1
2.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
Power Dissipation (T = 25°C)*  
2.5  
A
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
28  
W
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.22  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
4.53  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2003  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

FQD1N60CTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD1N60CTM FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与FQD1N60CTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD1N60CTF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQD1N60CTM ROCHESTER

获取价格

 		1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3
FQD1N60CTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQD1N60CTM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1 A，11.5 Ω，DPAK
FQD1N60TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQD1N60TF ROCHESTER

获取价格

 		1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD1N60TF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQD1N60TM ROCHESTER

获取价格

 		1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD1N80 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQD1N80_09 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET

与FQD1N60CTF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证