是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DPAK |
包装说明: | DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.3 |
雪崩能效等级(Eas): | 220 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 15.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 62.4 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD19N10TM_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQD1N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQD1N50B | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQD1N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQD1N60C | KERSEMI |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQD1N60C | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQD1N60C_09 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQD1N60CTF | ROCHESTER |
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1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 | |
FQD1N60CTF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FQD1N60CTF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |