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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD19N10TM_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQD1N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N50B | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N60C | KERSEMI |
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600V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N60C | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N60C_09 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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| FQD1N60CTF | ROCHESTER |
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1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 |
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| FQD1N60CTF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FQD1N60CTF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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