型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQD13N06TF | FAIRCHILD |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
RFD3055SM | FAIRCHILD |
类似代替 |
12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD13N10 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQD13N10_09 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQD13N10_13 | FAIRCHILD |
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N-Channel QFET MOSFET | |
FQD13N10L | FAIRCHILD |
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100V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQD13N10LTF | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FQD13N10LTM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,100 V,10 A,180 mΩ,D | |
FQD13N10LTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FQD13N10LTM | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):100V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
FQD13N10TF | FAIRCHILD |
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D-PAK Tape and Reel Data | |
FQD13N10TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |