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FQD13N06TM

更新时间： 2024-11-21 00:31:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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8页 803K
描述
N-Channel QFET® MOSFET 60 V, 10 A, 140 mΩ

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FQD13N06TM 数据手册

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November 2013  
FQD13N06  
N-Channel QFET® MOSFET  
60 V, 10 A, 140 mΩ  
Description  
Features  
• 10 A, 60 V, RDS(on) = 140 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar  
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET  
technology has been especially tailored to reduce on-state  
resistance, and to provide superior switching performance  
and high avalanche energy strength. These devices are  
suitable for switched mode power supplies, active power  
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.  
ID = 5.0 A  
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 5.8nC)  
Low Crss (Typ. 15 pF)  
100% Avalanche Tested  
D
D
G
G
S
D-PAK  
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted.  
C
Symbol  
Parameter  
FQD13N06TM  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
60  
10  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
6.3  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
40  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
85  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
10  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
2.8  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
28  
W
C
- Derate above 25°C  
0.22  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering,  
1/8" from case for 5 seconds  
J
STG  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FQD13N06TM  
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
4.5  
110  
50  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Minimum Pad of 2-oz Copper), Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (*1 in2 Pad of 2-oz Copper), Max.  
oC/W  
www.fairchildsemi.com  
©2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD13N06 Rev. C1  
1
12345678

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FQD13N06TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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