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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD13N06LTF_NL
FQD13N06LTF_NL PDF预览

FQD13N06LTF_NL

更新时间： 2024-11-20 12:59:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 662K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE, DPAK-3

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FQD13N06LTF_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.13雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD13N06LTF_NL 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQD13N06 / FQU13N06  
60V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as DC/DC  
converters, high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
10A, 60V, R  
= 0.14Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 5.8 nC)  
Low Crss ( typical 15 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
"
!
G
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD13N06 / FQU13N06  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
60  
10  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
6.3  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
40  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
85  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
10  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
2.8  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
28  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.22  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
4.5  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD13N06LTM ROCHESTER

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 		11A, 60V, 0.145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FQD13N06LTM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，11 A，115 mΩ，DP
FQD13N06LTM UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FQD13N06LTM_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		100V N-Channel MOSFET

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