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FQD13N06LTM PDF预览

FQD13N06LTM

更新时间： 2024-11-24 21:13:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 942K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FQD13N06LTM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.17
雪崩能效等级（Eas）：90 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD13N06LTM 数据手册

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October 2013  
FQD13N06L / FQU13N06L  
N-Channel QFET® MOSFET  
60 V, 11 A, 115 mΩ  
Features  
Description  
•
11 A, 60 V, RDS(on) = 115 mΩ (Max) @ VGS = 10 V,  
ID = 5.5 A  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to  
reduce on-state resistance, and to provide superior  
switching performance and high avalanche energy  
strength. These devices are suitable for switched mode  
power supplies, audio amplifier, DC motor control, and  
variable switching power applications.  
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 4.8 nC)  
Low Crss (Typ. 17 pF)  
100% Avalanche Tested  
Low Level Gate Drive Requirements Allowing  
Direct Operation form Logic Drivers  
D
D
G
I-PAK  
G
S
D-PAK  
G
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted.  
Symbol  
Parameter  
FQD13N06LTM / FQU13N06LTU  
Unit  
FQU13N06LTU_WS  
V
I
Drain-Source Voltage  
60  
V
A
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
11  
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
7
44  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
90  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
11  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
2.8  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
28  
W
C
- Derate above 25°C  
0.22  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering,  
1/8" from Case for 5 Seconds  
J
STG  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
FQD13N06LTM  
FQU13N06LTU  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FQU13N06LTU_WS  
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
4.5  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Minimum Pad of 2-oz Copper), Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (*1 in2 Pad of 2-oz Copper), Max.  
110  
50  
oC/W  
www.fairchildsemi.com  
©2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD13N06L / FQU13N06L Rev. C3  
1
1234567...10

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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