型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQD13N06TM | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,60 V,10 A,140 mΩ,DPAK |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQD13N06_09 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FQD13N06_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FQD13N06L | FAIRCHILD |
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60V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQD13N06LTF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQD13N06LTF | ROCHESTER |
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11A, 60V, 0.145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | |
FQD13N06LTF_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQD13N06LTM | ROCHESTER |
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11A, 60V, 0.145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | |
FQD13N06LTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQD13N06LTM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,11 A,115 mΩ,DP | |
FQD13N06LTM | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |