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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD12N20L
FQD12N20L PDF预览

FQD12N20L

更新时间： 2024-01-02 00:43:40
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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9页 609K
描述
200V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQD12N20L 数据手册

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February 2001  
FQD12N20L / FQU12N20L  
200V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supply, motor control.  
•
•
•
•
•
•
•
9.0A, 200V, R  
= 0.28Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 16 nC)  
Low Crss ( typical 17 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
Low level gate drive requirement allowing direct  
opration from logic drivers  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD12N20L / FQU12N20L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
9.0  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.7  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
36  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
210  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
9.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
55  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.44  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.27  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, February 2001  
1234567...9

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FQD12N20L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PSMN130-200D,118 NXP

功能相似

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FQD18N20V2TM FAIRCHILD

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FDD2670 FAIRCHILD

功能相似

 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

与FQD12N20L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD12N20LTM FAIRCHILD

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 		200V Logic Level N-Channel MOSFET
FQD12N20LTM ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，9.0 A，280 mΩ，
FQD12N20LTM_F085 ONSEMI

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FQD12N20LTM_F085 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQD12N20LTM-F085 ONSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconduc
FQD12N20TF ROCHESTER

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 		9A, 200V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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