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FQD12N20LTM_F085 PDF预览

FQD12N20LTM_F085

更新时间： 2024-01-31 07:10:25
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1199K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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FQD12N20LTM_F085 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：4 weeks
风险等级：5.13外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.32 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：22 pFJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：380 ns
最大开启时间（吨）：430 nsBase Number Matches：1

FQD12N20LTM_F085 数据手册

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January 2014  
FQD12N20L  
N-Channel QFET® MOSFET  
200 V, 9.0 A, 280 mΩ  
Description  
Features  
• 9.0 A, 200 V, RDS(on) = 280 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar  
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET  
technology has been especially tailored to reduce on-state  
resistance, and to provide superior switching performance  
and high avalanche energy strength. These devices are  
suitable for switched mode power supplies, active power  
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.  
ID = 4.5 A  
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 16 nC)  
Low Crss (Typ. 17 pF)  
100% Avalanche Tested  
D
D
G
G
S
D-PAK  
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted.  
C
Symbol  
Parameter  
FQD12N20LTM  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
9.0  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.7  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
36  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
210  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
9.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
55  
W
C
- Derate above 25°C  
0.44  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering,  
1/8" from case for 5 seconds  
J
STG  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FQD12N20LTM  
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
2.27  
110  
50  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Minimum Pad of 2-oz Copper), Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (*1 in2 Pad of 2-oz Copper), Max.  
oC/W  
www.fairchildsemi.com  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD12N20L Rev. C2  
1
12345678

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FQD12N20LTM_F085 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD12N20LTM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconduc
FQD12N20TF ROCHESTER

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FQD12N20TM FAIRCHILD

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 		N-Channel QFET MOSFET 200 V, 9 A, 280 m
FQD12N20TM ONSEMI

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 		POWER, FET

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