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FQD12N20LTM_F085 PDF预览

FQD12N20LTM_F085

更新时间： 2024-11-20 15:46:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1199K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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FQD12N20LTM_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.32 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD12N20LTM_F085 数据手册

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January 2014  
FQD12N20L  
N-Channel QFET® MOSFET  
200 V, 9.0 A, 280 mΩ  
Description  
Features  
• 9.0 A, 200 V, RDS(on) = 280 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar  
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET  
technology has been especially tailored to reduce on-state  
resistance, and to provide superior switching performance  
and high avalanche energy strength. These devices are  
suitable for switched mode power supplies, active power  
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.  
ID = 4.5 A  
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 16 nC)  
Low Crss (Typ. 17 pF)  
100% Avalanche Tested  
D
D
G
G
S
D-PAK  
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted.  
C
Symbol  
Parameter  
FQD12N20LTM  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
9.0  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.7  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
36  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
210  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
9.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
55  
W
C
- Derate above 25°C  
0.44  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering,  
1/8" from case for 5 seconds  
J
STG  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FQD12N20LTM  
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
2.27  
110  
50  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Minimum Pad of 2-oz Copper), Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (*1 in2 Pad of 2-oz Copper), Max.  
oC/W  
www.fairchildsemi.com  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD12N20L Rev. C2  
1
12345678

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FQD12N20LTM_F085 替代型号

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 		POWER, FET

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