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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD11P06TF
FQD11P06TF PDF预览

FQD11P06TF

更新时间： 2024-11-24 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 617K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE, DPAK-3

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FQD11P06TF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：LEAD FREE, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
雪崩能效等级（Eas）：160 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.4 A最大漏极电流 (ID)：9.4 A
最大漏源导通电阻：0.185 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：37.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD11P06TF 数据手册

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TM  
QFET  
FQD11P06 / FQU11P06  
60V P-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for low voltage applications such as automotive,  
DC/DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
-9.4A, -60V, R  
= 0.185Ω @V = -10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 13 nC)  
Low Crss ( typical 45 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
S
!
D
!
!
G!  
#
"
!
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G D S  
!
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD11P06 / FQU11P06  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
-60  
-9.4  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
-5.95  
-37.6  
± 30  
160  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
-9.4  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
3.8  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-7.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
38  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.3  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8!"from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
3.28  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B4, October 2002  
1234567...9

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