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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DPAK-3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.65 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 55 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD12N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQD12N20LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V Logic Level N-Channel MOSFET |
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| FQD12N20LTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，9.0 A，280 mΩ， |
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| FQD12N20LTM_F085 | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FQD12N20LTM_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FQD12N20LTM-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconduc |
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| FQD12N20TF | ROCHESTER |
获取价格 |
9A, 200V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| FQD12N20TM | FAIRCHILD |
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N-Channel QFET MOSFET 200 V, 9 A, 280 m |
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| FQD12N20TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，9.0 A，280 mΩ，DPAK |
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| FQD12P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
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