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FQD10N20CTF PDF预览

FQD10N20CTF

更新时间： 2024-02-01 03:24:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 586K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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FQD10N20CTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.46
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：210 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：7.8 A
最大漏源导通电阻：0.36 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：31.2 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FQD10N20CTF 数据手册

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®
QFET  
FQD10N20C / FQU10N20C  
200V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supplies and motor controls.  
•
•
•
•
•
•
7.8A, 200V, R  
= 0.36Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 20 nC)  
Low Crss ( typical 40.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
!
G
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD10N20C / FQU10N20C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
7.8  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.0  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
31.2  
± 30  
210  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
7.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
50  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.4  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.5  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, December 2003  
1234567...9

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FQD10N20CTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD10N20CTM FAIRCHILD

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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