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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD10N20CTM
FQD10N20CTM PDF预览

FQD10N20CTM

更新时间： 2024-02-02 20:09:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
9页 1283K
描述
N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm

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FQD10N20CTM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：180 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.6 A最大漏极电流 (ID)：7.6 A
最大漏源导通电阻：0.36 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30.4 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD10N20CTM 数据手册

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July 2013  
FQD10N20C / FQU10N20C  
N-Channel QFET® MOSFET  
200 V, 7.8 A, 360 mΩ  
Description  
Features  
7.8 A, 200 V, R  
ID = 3.9 A  
= 360 mΩ (Max.)@ V = 10 V,  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to  
reduce on-state resistance, and to provide superior  
switching performance and high avalanche energy  
strength. These devices are suitable for switched mode  
power supplies, active power factor correction (PFC), and  
electronic lamp ballasts.  
•
DS(on)  
GS  
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 20 nC)  
Low Crss (Typ. 40.5 pF)  
100% Avalanche Tested  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
!
G
G
I-PAK  
(TO251)  
D-PAK  
(TO252)  
S
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD10N20C / FQU10N20C  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
7.8  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.0  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
31.2  
± 30  
210  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
7.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
50  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.4  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FQD10N20C / FQU10N20C  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
2.5  
50  
θJC  
θJA  
θJA  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
www.fairchildsemi.com  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD10N20C / FQU10N20C Rev. C1  
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