5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQD10N20CTM
FQD10N20CTM PDF预览

FQD10N20CTM

更新时间： 2024-11-24 12:28:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
9页 1283K
描述
N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQD10N20CTM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：167425Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：TO-252-3L(DPAK)Samacsys Released Date：2015-07-12 18:27:54
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.8 A最大漏极电流 (ID)：7.8 A
最大漏源导通电阻：0.36 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：31.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQD10N20CTM 数据手册

 浏览型号FQD10N20CTM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQD10N20CTM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQD10N20CTM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQD10N20CTM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQD10N20CTM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQD10N20CTM的Datasheet PDF文件第7页 
July 2013  
FQD10N20C / FQU10N20C  
N-Channel QFET® MOSFET  
200 V, 7.8 A, 360 mΩ  
Description  
Features  
7.8 A, 200 V, R  
ID = 3.9 A  
= 360 mΩ (Max.)@ V = 10 V,  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to  
reduce on-state resistance, and to provide superior  
switching performance and high avalanche energy  
strength. These devices are suitable for switched mode  
power supplies, active power factor correction (PFC), and  
electronic lamp ballasts.  
•
DS(on)  
GS  
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 20 nC)  
Low Crss (Typ. 40.5 pF)  
100% Avalanche Tested  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
!
G
G
I-PAK  
(TO251)  
D-PAK  
(TO252)  
S
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD10N20C / FQU10N20C  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
7.8  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.0  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
31.2  
± 30  
210  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
7.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
50  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.4  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FQD10N20C / FQU10N20C  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
2.5  
50  
θJC  
θJA  
θJA  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
www.fairchildsemi.com  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD10N20C / FQU10N20C Rev. C1  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

FQD10N20CTM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD10N20CTF FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与FQD10N20CTM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQD10N20L FAIRCHILD

获取价格

 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD10N20L_13 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel QFET MOSFET
FQD10N20LTF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD10N20LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD10N20LTM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，7.6 A，380 mΩ，
FQD10N20TF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD10N20TF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD10N20TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQD11P06 FAIRCHILD

获取价格

 		60V P-Channel MOSFET
FQD11P06_09 FAIRCHILD

获取价格

 		60V P-Channel MOSFET

与FQD10N20CTM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证