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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB9N50C
FQB9N50C PDF预览

FQB9N50C

更新时间： 2024-11-23 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 610K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQB9N50C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.16
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：360 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB9N50C 数据手册

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TM  
QFET  
FQB9N50C/FQI9N50C  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
9 A, 500V, R  
=
0.8 Ω @V = 10 V  
GS  
DS(on)  
Low gate charge ( typical 28 nC)  
Low Crss ( typical 24 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
"
!
G
I2-PAK  
FQI Series  
D2-PAK  
FQB Series  
G
S
!
S
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB9N50C/FQI9N50C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
9
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.4  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
36  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
360  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
9
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
13.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
135  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.07  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.93  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, August 2003  
1234567...9

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FQB9N50C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQB9N50 FAIRCHILD

完全替代

 500V N-Channel MOSFET
FQB9N50CFTM_WS FAIRCHILD

类似代替

 500V N-Channel MOSFET
FQB9N50CFTM FAIRCHILD

功能相似

 500V N-Channel MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB9N50C_09 FAIRCHILD

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FQB9N50CFTM FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
FQB9N50CFTM_WS FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
FQB9N50CTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQB9N50CTM ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，9 A，800 mΩ，D2PAK
FQB9N50TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQB9P25 FAIRCHILD

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FQB9P25TM ONSEMI

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