5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-263 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 360 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.73 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 147 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQB9N50C | FAIRCHILD |
完全替代  |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB9N50CFTM_WS | FAIRCHILD |
类似代替 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB9N50CTM | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB9N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB9N50C_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB9N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB9N50CFTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB9N50CFTM_WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB9N50CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQB9N50CTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，9 A，800 mΩ，D2PAK |
|
| FQB9N50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| FQB9P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
|
| FQB9P25TM | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道 QFET® MOSFET -250 V，-9.4 A，620 mΩ |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
