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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.36 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQD10N20L | FAIRCHILD |
功能相似  |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQD5N20L | FAIRCHILD |
功能相似 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQD7N20L | FAIRCHILD |
功能相似 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQD10N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQD10N20C_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQD10N20CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQD10N20CTF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQD10N20CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm |
|
| FQD10N20CTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，10 A，360 mΩ，DPAK |
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| FQD10N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQD10N20L_13 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET |
|
| FQD10N20LTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQD10N20LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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