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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB7P20TM_F085
FQB7P20TM_F085 PDF预览

FQB7P20TM_F085

更新时间： 2024-11-24 11:59:19
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 936K
描述
200V P-Channel MOSFET

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FQB7P20TM_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：570 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.3 A
最大漏极电流 (ID)：7.3 A最大漏源导通电阻：0.69 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：29.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB7P20TM_F085 数据手册

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November 2009  
QFET®  
FQB7P20TM_F085  
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Qualified to AEC Q101  
RoHS Compliant  
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©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
www.fairchildsemi.com  
FQB7P20TM_F085 Rev.A  
1234567

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FQB7P20TM_F085 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDB039N06 FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9m

与FQB7P20TM_F085相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB85N06 FAIRCHILD

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 		60V N-Channel MOSFET
FQB85N06TM ROCHESTER

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 		85A, 60V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, D2PAK-3
FQB8N25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQB8N25TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQB8N25TM_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQB8N60C FAIRCHILD

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 		600V N-Channel MOSFET
FQB8N60CF FAIRCHILD

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 		600V N-Channel MOSFET
FQB8N60CTM FAIRCHILD

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FQB8N60CTM ONSEMI

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 		N 沟道 QFET® MOSFET 600V，7.5A，1.2Ω

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