FQB6N40CFTM

更新时间： 2024-11-20 10:23:31

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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400V N-Channel MOSFET

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FQB6N40CFTM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	270 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	113 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FQB6N40CFTM 数据手册

December 2005

FRFET

FQB6N40CF

400V N-Channel MOSFET

Features

Description

•

6A, 400V, R_DS(on)

1.1 Ω @V_GS= 10 V

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar

stripe, DMOS technology.

Low gate charge ( typical 16nC)

Low Crss ( typical 15pF)

Fast switching

This advanced technology has been especially tailored to

minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the avalanche

and commutation mode. These devices are well suited for high

efficiency switched mode power supplies, electronic lamp

ballasts based on half bridge topology.

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

Fast recovery body diode (typical 70ns)

D²-PAK

FQB Series

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

FQB6N40CF

Units

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

400

Drain Current

- Continuous (T_C= 25°C)

- Continuous (T_C= 100°C)

- Pulsed

3.8

(Note 1)

I_DM

Drain Current

V_GSS

E_AS

I_AR

Gate-Source Voltage

± 30

270

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

P_D

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Power Dissipation (T_C= 25°C)

11.3

4.5

V/ns

113

- Derate above 25°C

0.9

W/°C

°C

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8∀ from case for 5 seconds

300

°C

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

FQB6N40CF

Units

°C/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.1

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)

FQB6N40CF Rev. A

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7 8

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