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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB6N90TM
FQB6N90TM PDF预览

FQB6N90TM

更新时间： 2024-11-20 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 598K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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FQB6N90TM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
雪崩能效等级（Eas）：712 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 A最大漏极电流 (ID)：5.8 A
最大漏源导通电阻：1.9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：167 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：23.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB6N90TM 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQB6N90 / FQI6N90  
900V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
5.8A, 900V, R  
= 1.9Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 40 nC)  
Low Crss ( typical 17 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for high efficiency switch mode power supplies.  
D
!
D
"
! "  
"
"
G !  
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB6N90 / FQI6N90  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
900  
5.8  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
3.7  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
23.2  
± 30  
712  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
5.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
16.7  
4.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
167  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.34  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.75  
40  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
1234567...9

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FQB70N10TM ROCHESTER

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 		57A, 100V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, D2PAK-3
FQB70N10TM FAIRCHILD

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FQB7N10TM ROCHESTER

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 		7.3A, 100V, 0.35ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3

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