5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB6N60CTM
FQB6N60CTM PDF预览

FQB6N60CTM

更新时间： 2024-10-02 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 548K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQB6N60CTM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.83
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

FQB6N60CTM 数据手册

 浏览型号FQB6N60CTM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQB6N60CTM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQB6N60CTM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQB6N60CTM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQB6N60CTM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQB6N60CTM的Datasheet PDF文件第7页 
April 2000  
TM  
QFET  
FQB6N60 / FQI6N60  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply.  
•
•
•
•
•
•
6.2A, 600V, R  
= 1.5Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 20 nC)  
Low Crss ( typical 10 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
"
G
!
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
ꢀꢀ  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB6N60 / FQI6N60  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
6.2  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
3.9  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
24.8  
±ꢀ30  
440  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
6.2  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
13  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
130  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.04  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8ꢀ from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
Units  
°CꢁW  
°CꢁW  
°CꢁW  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.96  
40  
θ
θ
θ
JC  
JA  
JA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, April 2000  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与FQB6N60CTM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB6N60TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQB6N70 FAIRCHILD

获取价格

 		700V N-Channel MOSFET
FQB6N80 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQB6N80TM ROCHESTER

获取价格

 		5.8A, 800V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
FQB6N80TM ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，5.8 A，1.95 Ω，D2PAK
FQB6N90 FAIRCHILD

获取价格

 		900V N-Channel MOSFET
FQB6N90TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQB6P25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V P-Channel MOSFET
FQB70N08 FAIRCHILD

获取价格

 		80V N-Channel MOSFET
FQB70N08TM FAIRCHILD

获取价格

 		FQB70N08 / FQI70N08 80V N-Channel MOSFET

与FQB6N60CTM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证