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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.29 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 660 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.4 A | 最大漏源导通电阻： | 2.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21.6 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB5P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
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| FQB5P10TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| FQB5P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
|
| FQB5P20TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FQB60N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET |
|
| FQB630 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQB630TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQB65N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQB65N06TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQB65N06TM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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