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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB5N60C
FQB5N60C PDF预览

FQB5N60C

更新时间： 2024-11-19 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 622K
描述
600V N-Channel MOSFET

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FQB5N60C 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：2.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB5N60C 数据手册

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TM  
QFET  
FQB5N60C / FQI5N60C  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
4.5A, 600V, R  
= 2.5Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 15 nC)  
Low Crss ( typical 6.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
!
G
I2-PAK  
FQI Series  
D2-PAK  
FQB Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB5N60C / FQI5N60C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
4.5  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.6  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
18  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
210  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
4.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
10  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
Power Dissipation (T = 25°C)*  
3.13  
100  
A
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.8  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
1.25  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
-
-
-
θJC  
θJA  
θJA  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2003  
1234567...9

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FQB5N60C 替代型号

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